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《半導(dǎo)體器件物理與工藝》課后習(xí)題答案下載
《半導(dǎo)體器件物理與工藝》是由[美國(guó)]施敏編寫，蘇州大學(xué)出版社出版的一本書籍。以下是由陽(yáng)光網(wǎng)小編整理關(guān)于《半導(dǎo)體器件物理與工藝》課后習(xí)題答案下載的內(nèi)容，希望大家喜歡!
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《半導(dǎo)體器件物理與工藝》圖
《半導(dǎo)體器件物理與工藝》內(nèi)容簡(jiǎn)介
《半導(dǎo)體器件物理與工藝》(第2版)分為三個(gè)部分：第1部分(第2、3章)描述半導(dǎo)體的基本特性和它的`傳導(dǎo)過(guò)程，尤其著重在硅和砷化鎵兩種最重要的豐導(dǎo)體材料上。第l部分的概念將在《半導(dǎo)體器件物理與工藝》(第2版)接下來(lái)的部分被用到，了解這些概念需要現(xiàn)代物理和微積分的基本知識(shí)。第2部分(第4-9章)討論所有土要半導(dǎo)體器件的物理過(guò)程和特性。由對(duì)大部分半導(dǎo)體器件而言最關(guān)鍵的p-n結(jié)開(kāi)始，接下來(lái)討論雙極型和場(chǎng)效應(yīng)器件。最后討論微波、量子效應(yīng)、熱電子和光電子器件。第3部分(第10-14章)則介紹從晶體生長(zhǎng)到摻雜等工藝技術(shù)。我們介紹了制作器件時(shí)的各個(gè)主要步驟，包含理論和實(shí)際情況，并特別強(qiáng)調(diào)其在集成電路土的壓用。
《半導(dǎo)體器件物理與工藝》作者簡(jiǎn)介
本書由[美國(guó)]施敏著 趙鶴鳴 錢敏 黃秋萍 譯。
施敏(Simon M·Sze) 美國(guó)籍，微電子科學(xué)技術(shù)、半導(dǎo)體器件物理專業(yè)， 臺(tái)灣交通大學(xué)電子工程學(xué)系毫微米元件實(shí)驗(yàn)室教授，美國(guó)工程院院士，中國(guó)工程院院士，臺(tái)灣中央研究院三院院士。1936年出生。1957年畢業(yè)于臺(tái)灣大學(xué)。1960年、1963年分別獲得華盛頓大學(xué)和斯坦福大學(xué)碩士與博士學(xué)位。
施敏博士是國(guó)際知名的微電子科學(xué)技術(shù)與半導(dǎo)體器件專家和教育家。他是非揮發(fā)MOS場(chǎng)效應(yīng)記憶晶體管(MOSFET)的發(fā)明者，這項(xiàng)發(fā)明已成為世界集成電路產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)品之一，90年代初其產(chǎn)值已達(dá)100億美元。此外，他還有多項(xiàng)創(chuàng)造性成果，如80年代初首先以電子束制造出線寬為0.15μm MOSFET器件，首先發(fā)現(xiàn)崩潰電壓與能隙的關(guān)系，建立了微電子元件最高電場(chǎng)的指標(biāo)，如此等等。
施敏博士在微電子科學(xué)技術(shù)著作方面舉世聞名，對(duì)半導(dǎo)體元件的發(fā)展和人才培養(yǎng)方面，作出貢獻(xiàn)。他的三本專著已在我國(guó)翻譯出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻譯成六國(guó)文字，發(fā)行量逾百萬(wàn)冊(cè);他的著作廣泛用作教科書與參考書。由于他在微電子器件及在人才培養(yǎng)方面的貢獻(xiàn)，先后被選為臺(tái)灣中央研究院院士和美國(guó)國(guó)家工程院院士;1991年他得到IEEE電子器件的.最高榮譽(yù)獎(jiǎng)(Ebers獎(jiǎng))，稱他在電子元件領(lǐng)域做出了基礎(chǔ)性及前瞻性貢獻(xiàn)。
施敏博士多次來(lái)國(guó)內(nèi)講學(xué)，參加我國(guó)微電子器件研討會(huì);他對(duì)臺(tái)灣微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，曾提出過(guò)有份量的建議。他曾一再表示愿為我國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供咨詢。
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